一个纯粹的铸造厂
MEMS和薄膜器件

蚀刻

反应离子刻蚀,等离子刻蚀和湿法化学刻蚀都是MMD在制造MEMS器件时使用的所有工艺。 RIE工艺在具有全自动机械手控制的多腔室群集工具中执行,升级后可处理透明和半透明基板。等离子蚀刻可用于去除光致抗蚀剂,各向同性电介质蚀刻和有机聚合物蚀刻。对各种材料进行湿法化学蚀刻是通过预先混合的,稳定的蚀刻剂提供卓越的重复性和蚀刻控制。

反应离子蚀刻

  • 二氧化硅
  • 氮化硅
  • 多晶硅,各向异性
  • 多晶硅,各向同性
  • 硅,各向同性
  • 硅,各向异性
  • 氧化铪
  • PZT

等离子刻蚀

  • 光刻胶去除
  • 聚合物去除
  • 二氧化硅,各向同性
  • BPSG通过蚀刻
  • Parylene通孔蚀刻
惠

湿蚀刻

  • 多晶硅
  • 二氧化硅
  • 氮化硅
  • 铝/硅
  • 氮化钛
  • 钛/钨
  • ITO

湿处理

  • 酸洗
  • 溶剂清洁
  • 金属剥离
湿法蚀刻